Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications
Vše od
Taylor & Francis Ltd
ISBN: 9780367554156
This book characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. It explains different types of device architectures available to enhance the performance including InAs based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis...
1 594 Kč
- 1 - 2 ks
- 1 594 Kč
- 3 - 10 ks
- 1 578 Kč
- 11 a více ks
- 1 563 Kč
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Taylor & Francis Ltd ↓
Resisting Racism and Promoting Equity Through Community-Engaged Social Action
do 11. května1 437 Kč
Resisting Racism and Promoting Equity Through Community-Engaged Social Action
do 27. května4 844 Kč
1 594 Kč
Více o produktu ↓
This book characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. It explains different types of device architectures available to enhance the performance including InAs based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs based SG and DG-HEMT is also discussed.
- Výrobce
- Taylor & Francis Ltd
- Jazyk
- United Kingdom
- Rozměry
- 234 x 156
- Rok vydání
- 2023
- Počet stran
- 130
- Obsah
- Paperback / softback
- Hmotnost
- 453
- Počet stran
- 130 pages, 7 Tables, black and white; 78 Line drawings, black and white; 1 Halftones, black and whit
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
