Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
Vše od
Institution of Engineering and Technology
ISBN: 9781785614910
This book is an authoritative overview of Wide Bandgap (WBG) device characterization providing essential tools to assist the reader in performing both static and dynamic characterization of WBG devices, particularly those based on using silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) power...
3 906 Kč
- 1 - 2 ks
- 3 906 Kč
- 3 - 10 ks
- 3 867 Kč
- 11 a více ks
- 3 829 Kč
Předpoklad doručení do 11. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Institution of Engineering and Technology ↓
3 906 Kč
Více o produktu ↓
This book is an authoritative overview of Wide Bandgap (WBG) device characterization providing essential tools to assist the reader in performing both static and dynamic characterization of WBG devices, particularly those based on using silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) power semiconductors.
- Výrobce
- Institution of Engineering and Technology
- Jazyk
- United Kingdom
- Autor
- Wang, Fei (Professor, University of Tennessee, Knoxville, USA);Zhang, Zheyu (Lead Power Electronics Engineer, General Electric Global Research, USA);Jones, Edward A. (Senior Applications Engineer, Efficient Power Conversion Corporation, USA)
- Rozměry
- 244 x 165 x 26
- Rok vydání
- 2018
- Počet stran
- 347
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 662
- Počet stran
- 347 pages
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
