Compound Semiconductor Materials and Devices
Vše od
Springer International Publishing AG
ISBN: 9783031009006
Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications.
734 Kč
- 1 - 2 ks
- 734 Kč
- 3 - 10 ks
- 727 Kč
- 11 a více ks
- 720 Kč
Naše cena 734 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 781 Kč.
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Springer International Publishing AG ↓
734 Kč
Více o produktu ↓
Ever since its invention in the 1980s, the compound semiconductor heterojunction-based high electron mobility transistor (HEMT) has been widely used in radio frequency (RF) applications.
- Výrobce
- Springer International Publishing AG
- Jazyk
- Switzerland
- Autor
- Liu, Zhaojun;Huang, Tongde;Li, Qiang;Lu, Xing;Zou, Xinbo
- Rozměry
- 235 x 191
- Rok vydání
- 2016
- Počet stran
- 65
- Obsah
- Paperback / softback
- Počet stran
- 65 pages, VII, 65 p.
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Compound Semiconductor Materials and Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
