Doping in III-V Semiconductors

Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey) | Autoři

Vše od Cambridge University Press
ISBN: 9780521017848

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III–V...

Více o produktu


Nejprodávanější produkty v aktuálním měsíci.

3 219 Kč

1 - 2 ks
3 219 Kč
3 - 10 ks
3 187 Kč
11 a více ks
3 156 Kč

Předpoklad doručení do 30. května *

* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.

3 219 Kč

Nepřehlédněte od Cambridge University Press

Více o produktu

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III–V semiconductors are presented.

Výrobce
Cambridge University Press
Jazyk
United Kingdom
Autor
Schubert, E. F. (AT&T Bell Laboratories, New Jersey)
Rozměry
151 x 229 x 40
Rok vydání
2005
Počet stran
632
Obsah
Paperback / softback
Hmotnost
936
Počet stran
632 pages, 1 Tables, unspecified; 240 Line drawings, unspecified

Zanechte své hodnocení

Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Doping in III-V Semiconductors a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.

Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!