Emerging Non-volatile Memory Technologies
Physics, Engineering, and Applications
Vše od
Springer Verlag, Singapore
ISBN: 9789811569104
In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation.
3 525 Kč
- 1 - 2 ks
- 3 525 Kč
- 3 - 10 ks
- 3 490 Kč
- 11 a více ks
- 3 456 Kč
Naše cena 3 525 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 3 750 Kč.
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Springer Verlag, Singapore ↓
Interplay of Geo-Politics and Geo-Economics in PakistanÂ’s Foreign Policy (Post-2008)
do 27. května3 231 Kč
3 525 Kč
Více o produktu ↓
In the second half of the book, the underlying device physics supported by different experimental observations and modelling of RRAM devices are presented with memory array level implementation.
- Výrobce
- Springer Verlag, Singapore
- Jazyk
- Singapore
- Rozměry
- 235 x 155
- Rok vydání
- 2021
- Počet stran
- 438
- Obsah
- Hardback
- Počet stran
- 438 pages, 231 Illustrations, color; 23 Illustrations, black and white; VIII, 438 p. 254 illus., 231
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Emerging Non-volatile Memory Technologies a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
