Emerging Resistive Switching Memories
Vše od
Springer International Publishing AG
ISBN: 9783319315706
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
1 322 Kč
- 1 - 2 ks
- 1 322 Kč
- 3 - 10 ks
- 1 309 Kč
- 11 a více ks
- 1 296 Kč
Naše cena 1 322 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 1 406 Kč.
Předpoklad doručení do 28. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Springer International Publishing AG ↓
1 322 Kč
Více o produktu ↓
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
- Výrobce
- Springer International Publishing AG
- Jazyk
- Switzerland
- Autor
- Ouyang, Jianyong
- Rozměry
- 235 x 155
- Rok vydání
- 2016
- Počet stran
- 93
- Obsah
- Paperback / softback
- Počet stran
- 93 pages, 41 Illustrations, color; 32 Illustrations, black and white
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Emerging Resistive Switching Memories a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
