Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology

Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA) | Autoři

Vše od Taylor & Francis Inc
ISBN: 9781420066876

Examines the design, fabrication, and application of silicon heterostructure transistors. This book focuses on SiGe HBT BiCMOS and Si/SiGe CMOS technologies. It covers topics including materials, transistor optimization, fabrication, devices, structural innovations, modeling, and simulation, and...

Více o produktu


Nejprodávanější produkty v aktuálním měsíci.

5 313 Kč

1 - 2 ks
5 313 Kč
3 - 10 ks
5 260 Kč
11 a více ks
5 209 Kč

Předpoklad doručení do 5. června *

* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.

5 313 Kč

Nepřehlédněte od Taylor & Francis Inc

Více o produktu

Examines the design, fabrication, and application of silicon heterostructure transistors. This book focuses on SiGe HBT BiCMOS and Si/SiGe CMOS technologies. It covers topics including materials, transistor optimization, fabrication, devices, structural innovations, modeling, and simulation, and potential markets.

Výrobce
Taylor & Francis Inc
Jazyk
United States
Autor
Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA)
Rozměry
254 x 178
Rok vydání
2007
Počet stran
258
Obsah
Hardback
Hmotnost
620
Počet stran
258 pages, 33 Tables, black and white; 16 Halftones, black and white; 155 Illustrations, black and w

Zanechte své hodnocení

Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Fabrication of SiGe HBT BiCMOS Technology a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.

Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!