Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices

Gachovska, Tanya K.;Hudgins, Jerry L.;Santi, Enrico;Bryant, Angus | Autoři

Vše od Springer International Publishing AG
ISBN: 9783031013706

The devices are subdivided into different regions, and the operation in each region, along with the interactions at the interfaces which are analyzed using basic semiconductor physics equations that govern their behavior.

Více o produktu


Nejprodávanější produkty v aktuálním měsíci.

734 Kč

1 - 2 ks
734 Kč
3 - 10 ks
727 Kč
11 a více ks
720 Kč

Naše cena 734 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 781 Kč.

Předpoklad doručení do 27. května *

* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.

734 Kč 781 Kč

Nepřehlédněte od Springer International Publishing AG

Více o produktu

The devices are subdivided into different regions, and the operation in each region, along with the interactions at the interfaces which are analyzed using basic semiconductor physics equations that govern their behavior.

Výrobce
Springer International Publishing AG
Jazyk
Switzerland
Autor
Gachovska, Tanya K.;Hudgins, Jerry L.;Santi, Enrico;Bryant, Angus
Rozměry
235 x 191
Rok vydání
2013
Počet stran
88
Obsah
Paperback / softback
Počet stran
88 pages, VIII, 88 p.

Zanechte své hodnocení

Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Modeling Bipolar Power Semiconductor Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.

Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!