Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors
Vše od
Cambridge University Press
ISBN: 9781107162044
The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in...
4 406 Kč
- 1 - 2 ks
- 4 406 Kč
- 3 - 10 ks
- 4 362 Kč
- 11 a více ks
- 4 320 Kč
Předpoklad doručení do 28. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Cambridge University Press ↓
4 406 Kč
Více o produktu ↓
The first of its kind, this is a detailed introduction to this new and fast-developing field. It covers the design, modeling, and operation of junctionless field effect transistors (FETs), as well as advantages and limitations. It is Ideal for graduate students and researchers working in semiconductor nanotechnology.
- Výrobce
- Cambridge University Press
- Jazyk
- United Kingdom
- Autor
- Jazaeri, Farzan (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne);Sallese, Jean-Michel (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne)
- Rozměry
- 180 x 254 x 17
- Rok vydání
- 2018
- Počet stran
- 252
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 650
- Počet stran
- 252 pages, 7 Tables, black and white; 5 Halftones, black and white; 117 Line drawings, black and whi
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Modeling Nanowire and Double-Gate Junctionless Field-Effect Transistors a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
