Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Vše od
World Scientific Publishing Co Pte Ltd
ISBN: 9789812568625
Deals with the MOS Field Effect Transistor models that are derived from basic semiconductor theory. This book discusses how to measure device model parameters required for circuit simulations. It emphasizes the assumptions used to arrive at the models, so that the accuracy of the models in...
5 875 Kč
- 1 - 2 ks
- 5 875 Kč
- 3 - 10 ks
- 5 817 Kč
- 11 a více ks
- 5 760 Kč
Naše cena 5 875 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 6 250 Kč.
Předpoklad doručení do 30. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od World Scientific Publishing Co Pte Ltd ↓
Rapid Prototyping: Principles And Applications (Third Edition) (With Companion Cd-rom)
do 30. května2 350 Kč
5 875 Kč
Více o produktu ↓
Deals with the MOS Field Effect Transistor models that are derived from basic semiconductor theory. This book discusses how to measure device model parameters required for circuit simulations. It emphasizes the assumptions used to arrive at the models, so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are understood.
- Výrobce
- World Scientific Publishing Co Pte Ltd
- Jazyk
- Singapore
- Rozměry
- 227 x 160 x 37
- Rok vydání
- 2007
- Počet stran
- 632
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 990
- Počet stran
- 632 pages
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
