Nonvolatile Memory Design
Magnetic, Resistive, and Phase Change
Vše od
Taylor & Francis Inc
ISBN: 9781439807453
Nonvolatile Memory Design od autora Li, Hai;Chen, Yiran vydalo nakladatelství Taylor & Francis Inc s podtitulem Magnetic, Resistive, and Phase Change...
8 594 Kč
- 1 - 2 ks
- 8 594 Kč
- 3 - 10 ks
- 8 509 Kč
- 11 a více ks
- 8 425 Kč
Předpoklad doručení do 17. června *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Taylor & Francis Inc ↓
8 594 Kč
Více o produktu ↓
- Výrobce
- Taylor & Francis Inc
- Jazyk
- United States
- Autor
- Li, Hai;Chen, Yiran
- Rozměry
- 242 x 166 x 18
- Rok vydání
- 2011
- Počet stran
- 208
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 488
- Počet stran
- 208 pages, 10 Tables, black and white; 175 Illustrations, black and white
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Nonvolatile Memory Design a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
