Parameter-Centric Scaled FET Devices
Physics Based Perspectives and Attributes
Vše od
Springer International Publishing AG
ISBN: 9783031842856
Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.
1 028 Kč
- 1 - 2 ks
- 1 028 Kč
- 3 - 10 ks
- 1 018 Kč
- 11 a více ks
- 1 008 Kč
Naše cena 1 028 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 1 094 Kč.
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Springer International Publishing AG ↓
1 028 Kč
Více o produktu ↓
Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.
- Výrobce
- Springer International Publishing AG
- Jazyk
- Switzerland
- Autor
- Ashraf, Nabil Shovon
- Rozměry
- 240 x 168
- Rok vydání
- 2025
- Počet stran
- 129
- Obsah
- Hardback
- Počet stran
- 129 pages, 59 Illustrations, color; 2 Illustrations, black and white
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Parameter-Centric Scaled FET Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
