Photo-induced Defects in Semiconductors
Vše od
Cambridge University Press
ISBN: 9780521024457
This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. These metastable defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices.
1 688 Kč
- 1 - 2 ks
- 1 688 Kč
- 3 - 10 ks
- 1 671 Kč
- 11 a více ks
- 1 655 Kč
Předpoklad doručení do 30. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Cambridge University Press ↓
1 688 Kč
Více o produktu ↓
This is the first book to give a complete overview of the properties of deep-level, localized defects in semiconductors. These metastable defects exhibit complex interactions with the surrounding material, and can significantly affect the performance and stability of certain semiconductor devices.
- Výrobce
- Cambridge University Press
- Jazyk
- United Kingdom
- Autor
- Redfield, David (Stanford University, California);Bube, Richard H. (Stanford University, California)
- Rozměry
- 229 x 152 x 14
- Rok vydání
- 2006
- Počet stran
- 232
- Obsah
- Paperback / softback
- Hmotnost
- 350
- Počet stran
- 232 pages, 1 Halftones, unspecified; 105 Line drawings, unspecified
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Photo-induced Defects in Semiconductors a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
