Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim
Vše od
World Scientific Publishing Co Pte Ltd
ISBN: 9789812568649
Provides a description of the compact MOS transistor models for circuit simulation. This book considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
3 525 Kč
- 1 - 2 ks
- 3 525 Kč
- 3 - 10 ks
- 3 490 Kč
- 11 a více ks
- 3 456 Kč
Naše cena 3 525 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 3 750 Kč.
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od World Scientific Publishing Co Pte Ltd ↓
Rapid Prototyping: Principles And Applications (Third Edition) (With Companion Cd-rom)
do 27. května2 350 Kč
3 525 Kč
Více o produktu ↓
Provides a description of the compact MOS transistor models for circuit simulation. This book considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
- Výrobce
- World Scientific Publishing Co Pte Ltd
- Jazyk
- Singapore
- Autor
- Ezaki, Tatsuya (Hiroshima Univ, Japan);Mattausch, Hans Jurgen (Hiroshima Univ, Japan);Miura-mattausch, Mitiko (Hiroshima Univ, Japan)
- Rozměry
- 223 x 157 x 22
- Rok vydání
- 2008
- Počet stran
- 380
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 508
- Počet stran
- 380 pages
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
