Radiation Defect Engineering
Vše od
World Scientific Publishing Co Pte Ltd
ISBN: 9789812565211
Explores radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. This book considers the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as...
2 879 Kč
- 1 - 2 ks
- 2 879 Kč
- 3 - 10 ks
- 2 850 Kč
- 11 a více ks
- 2 823 Kč
Naše cena 2 879 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 3 063 Kč.
Předpoklad doručení do 30. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od World Scientific Publishing Co Pte Ltd ↓
Rapid Prototyping: Principles And Applications (Third Edition) (With Companion Cd-rom)
do 30. května2 350 Kč
2 879 Kč
Více o produktu ↓
Explores radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. This book considers the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results.
- Výrobce
- World Scientific Publishing Co Pte Ltd
- Jazyk
- Singapore
- Autor
- Vera, Abrosimova (Inst Of Microelectronics Tech & High Purity Materials, Russia);Kozlovski, Vitali V (St Petersburg State Tech Univ, Russia)
- Rozměry
- 254 x 167 x 22
- Rok vydání
- 2005
- Počet stran
- 264
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 706
- Počet stran
- 264 pages
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Radiation Defect Engineering a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
