SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
Vše od
Taylor & Francis Inc
ISBN: 9781420066852
Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and...
5 313 Kč
- 1 - 2 ks
- 5 313 Kč
- 3 - 10 ks
- 5 260 Kč
- 11 a více ks
- 5 209 Kč
Předpoklad doručení do 29. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Taylor & Francis Inc ↓
5 313 Kč
Více o produktu ↓
Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe and Si-C alloys.
- Výrobce
- Taylor & Francis Inc
- Jazyk
- United States
- Autor
- Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA)
- Rozměry
- 254 x 178
- Rok vydání
- 2007
- Počet stran
- 262
- Obsah
- Hardback
- Hmotnost
- 650
- Počet stran
- 262 pages, 24 Tables, black and white; 28 Halftones, black and white; 140 Illustrations, black and w
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
