Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Vše od
Springer Verlag GmbH
ISBN: 9783709119334
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in...
3 819 Kč
- 1 - 2 ks
- 3 819 Kč
- 3 - 10 ks
- 3 781 Kč
- 11 a více ks
- 3 744 Kč
Naše cena 3 819 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 4 062 Kč.
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Springer Verlag GmbH ↓
3 819 Kč
Více o produktu ↓
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
- Výrobce
- Springer Verlag GmbH
- Jazyk
- Austria
- Autor
- Sverdlov, Viktor
- Rozměry
- 240 x 168
- Rok vydání
- 2016
- Počet stran
- 252
- Obsah
- Paperback / softback
- Počet stran
- 252 pages, XIV, 252 p.
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
