Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices
Vše od
Taylor & Francis Ltd
ISBN: 9780367519339
Based on 3D process and device simulations with mechanical stress simulations by finite element techniques, this book explains performance assessment of nanoscale devices with strained SiGe and other stressors. It explains the process-induced stress transfer and developments at 7nm technology and...
1 937 Kč
- 1 - 2 ks
- 1 937 Kč
- 3 - 10 ks
- 1 918 Kč
- 11 a více ks
- 1 899 Kč
Předpoklad doručení do 28. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Taylor & Francis Ltd ↓
Resisting Racism and Promoting Equity Through Community-Engaged Social Action
do 12. května1 437 Kč
Resisting Racism and Promoting Equity Through Community-Engaged Social Action
do 28. května4 844 Kč
1 937 Kč
Více o produktu ↓
Based on 3D process and device simulations with mechanical stress simulations by finite element techniques, this book explains performance assessment of nanoscale devices with strained SiGe and other stressors. It explains the process-induced stress transfer and developments at 7nm technology and below node in the area of strain-engineered devices.
- Výrobce
- Taylor & Francis Ltd
- Jazyk
- United Kingdom
- Autor
- Maiti, Chinmay K. (SOA University Bhubaneswar, Odisha, India)
- Rozměry
- 234 x 156
- Rok vydání
- 2023
- Počet stran
- 260
- Obsah
- Paperback / softback
- Hmotnost
- 220
- Počet stran
- 260 pages, 23 Tables, black and white; 136 Line drawings, black and white; 3 Halftones, black and wh
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
