Transient Electro-Thermal Modeling on Power Semiconductor Devices
Vše od
Springer International Publishing AG
ISBN: 9783031013782
The instantaneous dissipated power, calculated using the electrical device models, serves as input to the thermal model (RC network with constant and nonconstant thermal resistance and thermal heat capacity, or Fourier thermal model) of the entire module or package, which computes the junction...
734 Kč
- 1 - 2 ks
- 734 Kč
- 3 - 10 ks
- 727 Kč
- 11 a více ks
- 720 Kč
Naše cena 734 Kč je o 6 % nižší než
doporučená cena výrobce 781 Kč.
Předpoklad doručení do 27. května *
* Termín expedice je odhadovaný a může se mírně upravit podle termínu dodání od našeho dodavatele. Pokud by došlo ke změně, vždy vás budeme včas informovat.
Nepřehlédněte od Springer International Publishing AG ↓
734 Kč
Více o produktu ↓
The instantaneous dissipated power, calculated using the electrical device models, serves as input to the thermal model (RC network with constant and nonconstant thermal resistance and thermal heat capacity, or Fourier thermal model) of the entire module or package, which computes the junction temperature of the device.
- Výrobce
- Springer International Publishing AG
- Jazyk
- Switzerland
- Autor
- Gachovska, Tanya Kirilova;Hudgins, Jerry;Du, Bin;Santi, Enrico
- Rozměry
- 235 x 191
- Rok vydání
- 2013
- Počet stran
- 68
- Obsah
- Paperback / softback
- Počet stran
- 68 pages, XVI, 68 p.
Zanechte své hodnocení
Budeme rádi, když se podělíte o svou zkušenost s Transient Electro-Thermal Modeling on Power Semiconductor Devices a pomůžete tak ostatním zákazníkům při výběru.
Navíc každý měsíc losujeme jednoho z těch, kteří nám zanechali recenzi, a obdarujeme ho kuponem na nákup v hodnotě 500 Kč. Možná právě Vy budete tím šťastným – držíme palce!
